Moduł pamięci został wyposażony w 260-pinowe złącze DDR4 typu SODIMM, charakteryzuje się opóźnieniem CL22, częstotliwością taktowania 3200MHz, przepustowością 25,6GB/s oraz niskim napięciem 1,2V co przekłada się na wyższą wydajność, niższą temperaturę pracy oraz niższe zużycie energii elektrycznej w porównaniu do poprzedniej generacji pamięci RAM.
